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產品詳細說明
直接控制襯底電壓和離子能量分布
eVoS? 平臺可直接控制晶圓表面電壓和離子能量分布，使工藝工程師能夠針對特定工藝結果優化偏置性能。
取代傳統的射頻（正弦波）偏置功率傳輸系統
提供優化的非對稱波形，可直接控制襯底電壓和離子能量分布
解決了正弦波偏差的主要缺點：廣泛、不受控制的離子能量分布
專有控制系統可直接控制晶圓偏置特性。支持多能量/多*脈沖
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